然而，中国传统的集流体在垂直方向上具有高导电率，锂主要沉积在顶部，制约了集流体的充分利用。

西电（b）不同温度下的异常霍尔效应。通常，分拆静电调制的基本原理是将电场施加到任何吸引或驱散电荷的材料上，分拆以形成一层电荷积累或耗尽的层，从而改变材料的载流子密度以改变其电子基态。

司西顺利（d）在3T以下的各种温度下的各向异性磁阻。高院过（b）具有不同施加场的MnIr（3nm）/[Co/Pt]多层膜的异常霍尔效应曲线。3、中国展望3.1、中国利用金属反铁磁氧化物的电场控制隧道结总体而言，尽管近年来反铁磁自旋电子学发展迅速，但与成熟的铁磁自旋电子器件，如当代占主导地位的信息存储技术——硬盘和基于铁磁薄膜的数据中心相比，整个领域仍处于起步阶段。

西电（c）通过施加电流脉冲来控制横向电阻。（b）在200℃下放置10分钟（红线），分拆施加-625kvcm−1电场6分钟（蓝线），施加+625kvcm−1电场13分钟（紫线），得到样品的RH-HZ曲线。

由于各种理论和实验研究，司西顺利反铁磁自旋电子学已经建立且正在迅速发展中。

然而，高院过反铁磁阶数参数的有效操纵仍是非常具有挑战性的。图五、中国S-TTCA材料制备及其电化学性能（a）S-TTCA制备示意图。

西电（c）S-TTCA-I和S-TTCA-II在2C和0.5C下的循环性能。图八、分拆其他具有固-固转变路径的有机硫聚合物（a）PDATtSSe正极在200mAg-1下的放电曲线。

司西顺利（b）S-DIB的循环性能和充放电曲线。高院过（c）S-DIB@CNT材料的制备流程。